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新材料与器件结构用于下一代存储技术
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  受半导体研究联盟资助,美国加州大学戴维斯分校的研究人员正在开发新型的材料与器件结构,用于发展下一代存储技术。

  现有硬盘与固态内存分别基于存储介质的磁状态与电状态。硬盘成本低、数据存储量大,但存储速度慢,且机械零部件会带来不稳定性。固态内存存储速度高,但存储量小,单位比特存储量的成本较高。

  IBM 提出了一种名为“赛道内存”的替代性技术,通过操纵磁畴壁和磁区域来读写数据,能够结合二者的优点,大幅提高存储密度和读写速度。受该技术的启发,加州大学戴维斯分校研究人员对复合氧化物展开了研究,并发现这类材料有潜力提供更高的自由度,在操纵磁畴壁方面具有更高的效率和稳定性

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